[뉴스스페이스=이은주 기자] SK하이닉스가 내년(2026년) HBM(고대역폭메모리), D램, 낸드플래시 등 메모리 전 제품에 대해 대고객 공급 계약을 이미 완료하고, 생산 확대와 투자 강화 계획을 발표했다. 특히 세계 최초로 개발한 차세대 HBM4는 4분기부터 출하를 시작해 내년 본격 판매에 나설 예정이며, AI 인프라 수요 폭증에 대응하기 위한 생산 능력 증강 및 클린룸 조기 오픈도 진행 중이다.

HBM4는 SK하이닉스가 2025년 9월 세계 최초로 개발 및 양산 체제를 구축한 6세대 고대역폭메모리로서, 기존 세대 대비 대역폭이 2배로 증가하고 전력 효율은 40% 이상 높아졌다. 이 제품은 초당 10Gbps 이상의 전송 속도를 구현하며, AI 서비스 성능을 최대 69%까지 향상시키는 것으로 알려졌다. SK하이닉스는 이 HBM4를 엔비디아 차세대 AI 칩 '루빈(Rubin)' 등에 공급해 글로벌 AI 가속기 시장에서 주도적 위치를 견고히 하고 있다.​

D램과 낸드플래시 역시 내년 고객 수요를 모두 확보했다. SK하이닉스는 낸드 부문에서 AI 인공지능 수요 급증에 대응하기 위한 'AIN(Artificial Intelligence NAND)' 제품군을 개발 중이며, 고성능·고대역폭·대용량에 초점을 맞춰 2026년 말까지 샘플을 출시할 예정이라고 밝혔다.​

생산 능력 확대를 위해 SK하이닉스는 충청북도 청주에 신규 생산라인 M15X 팹 건설을 가속하고 있다. 이 팹은 M15 팹의 확장형으로, 2025년 말까지 클린룸을 조기 오픈하고 장비 반입을 시작했다. M15X에는 약 2조원 이상의 투자가 진행되며, DRAM 및 HBM 생산 용량을 20~30% 증가시켜 AI 수요에 대응할 예정이다.​

재무 실적에서도 AI 관련 수요 증가가 두드러진다. SK하이닉스는 2025년 3분기 기준 역대 최대 분기 영업이익을 기록했으며, AI 메모리 및 반도체 칩 라인 전체에 대해 내년 공급 물량이 모두 확보됐다고 공시했다. 이는 AI 인프라 확장에 따른 글로벌 수요 증가와 함께 메모리 반도체 업계 슈퍼 사이클 진입을 상징한다는 분석이다.​

회사는 올해 대비 내년 투자 규모도 증가시킬 계획이며, 시장 상황에 맞춘 최적화된 투자 전략을 유지하겠다고 밝혔다. 이러한 움직임은 AI를 비롯한 차세대 반도체 시대에 선점 효과를 노린 적극적인 대응으로 풀이된다.​

즉 SK하이닉스는 세계 최초로 상용화한 HBM4를 앞세워 AI 분야 메모리 시장 점유율을 확대하며, 고객 맞춤형 전 제품 공급을 완성했다. 생산 공장 대규모 증설과 투자 강화로 내년 메모리 사업 경쟁력을 극대화하겠다는 전략이다. 글로벌 AI 수요 급증에 힘입어 국내외 메모리 시장에서 SK하이닉스의 입지는 더욱 견고해질 전망이다.