[뉴스스페이스=김정영 기자] 삼성전자가 자사의 2nm Gate-All-Around(GAA) 공정으로 제작한 차세대 엑시노스 2600 프로세서를 2년 만에 갤럭시 S 시리즈 플래그십 모델에 다시 탑재하는 것으로 확인됐다.

이 결정은 삼성의 반도체 기술력에 대한 자신감 회복과 퀄컴 의존도를 줄이기 위한 전략적 전환을 의미한다.

엑시노스 2600은 10코어 CPU와 삼성 그래픽코어인 Xclipse 960 GPU를 탑재해 최근 Geekbench 벤치마크에서 싱글코어 3,309점, 멀티코어 11,256점을 기록했다. 이는 경쟁사의 최신 스냅드래곤 8 엘리트 Gen 2(싱글코어 3,393점, 멀티코어 11,515점)와 거의 근접한 성능으로, GPU 성능은 3DMark 기준으로 스냅드래곤 8 엘리트 대비 약 15% 우위를 보인다.

특히 삼성의 2nm 공정 기술이 퀄컴의 3nm 공정보다 전력 효율과 성능 면에서 우수한 점이 성능 향상의 배경이다.

삼성은 엑시노스 2600 칩에 Heat Pass Block(HPB)이라는 혁신적인 열 관리 기술을 도입했다. 기존의 칩셋 구조에 구리 소재의 히트싱크 층을 추가해 CPU와 GPU 등 주요 부품에 더 가까이 위치시키며, 기존 열 확산기 대비 열 배출 효율을 크게 높였다. 이 기술로 엑시노스 칩셋의 과거 과열 문제가 상당 부분 개선되며, 갤럭시 S26 시리즈에서 안정적인 성능 유지가 가능할 전망이다.

지역별 칩셋 전략도 과거로 회귀한다. 갤럭시 S26과 S26 플러스, 엣지 모델은 유럽과 아시아(중국, 일본, 한국 제외), 아프리카, 중동 등지에서 엑시노스 2600을 탑재하며, 북미와 중국, 일본, 한국 시장에는 퀄컴 스냅드래곤 8 엘리트 Gen 2를 적용한다.

한편, 최상위 모델인 갤럭시 S26 울트라는 전 세계에서 모두 스냅드래곤 칩을 장착한다. 이러한 듀얼 칩 전략은 비용 효율성과 성능을 모두 추구하려는 삼성의 전략으로 평가된다.

삼성 파운드리 부문은 지난 몇 년간 2nm 공정 수율 문제를 극복하는 데 집중해왔으며, 초기 30% 미만이던 수율은 최근 약 40% 이상으로 개선됐다. 다만 TSMC가 60~65%의 경쟁력 있는 수율을 유지하는 것과 비교하면 아직 도전과제는 남아 있다.

삼성은 올해 말까지 위험 생산과 최종 품질 테스트를 완료하고 내년 초 갤럭시 S26 출시 일정에 맞춰 본격 양산을 시작할 예정이다.

삼성전자 시스템LSI사업부 박용인 사장은 올해 7월 “엑시노스 2500에 이어 엑시노스 2600을 차근차근 준비하고 있으며 좋은 결과를 기대한다”고 밝힌 바 있다. 이번 엑시노스 2600은 삼성의 반도체 자립과 프리미엄 스마트폰 시장 경쟁력 확보에 중요한 이정표가 될 전망이다.

한편, 삼성의 이번 전략은 퀄컴과의 협상력 강화, 생산 비용 절감, 그리고 글로벌 반도체 시장에서 삼성 파운드리의 기술력 입증이라는 다각적 목표를 겨냥하고 있다. 갤럭시 S26 출시와 함께 삼성의 엑시노스 칩이 다시 주목받으며 반도체 경쟁 구도에 새로운 변화를 예고하고 있다.