[뉴스스페이스=김정영 기자] 서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장 김윤용)는 9월 18일 삼성전자 상무 출신 양모 씨 등 전직 삼성전자 임원 및 연구원 3명을 산업기술보호법·부정경쟁방지법 위반 혐의로 구속 기소했다.

이들은 2016~2018년 삼성전자의 18나노 D램 공정을 중국 기업 창신메모리테크놀로지(CXMT)에 유출하고, CXMT가 이 기술로 18나노 D램을 양산해 중국 1위 D램 제조업체로 도약하는 데 핵심 역할을 한 혐의를 받고 있다.

CXMT는 중국 안후이성 지방정부가 약 2조6000억원을 투자해 2016년에 설립한 중국 최초 D램 전문업체로, 삼성전자가 약 1조6000억원을 투입해 세계 최초 개발에 성공한 10나노대 최신 D램 공정 기술을 불법 유출받아 2023년 세계 4번째로 18나노 D램 상용화에 성공했다. 유출된 기술에는 약 600여 단계에 달하는 복잡한 공정 정보가 포함돼 있으며, 삼성전자의 실제 제품 분해 및 제조 테스트를 통한 검증까지 이뤄졌다.

검찰에 따르면, 이들은 삼성전자에서 받은 내부 정보를 지우지 않고 CXMT가 이 기술로 중국 내 최대 D램 점유율(2025년 2분기 4.4% 점유율, 글로벌 4위)에 올라서는 데 기여했다. CXMT는 DDR4에 이어 최신 DDR5 제품도 양산 중이며, 2027년까지 글로벌 시장 점유율을 10%까지 끌어올릴 전망이다. CXMT의 약진은 중국 정부의 막대한 지원과 내수시장 확대, 기술력 강화라는 '네 박자'가 맞아 떨어진 결과로 평가된다.

삼성전자는 이 사건으로 인해 2024년 한 해에만 매출 감소액이 약 5조원에 이르고, 앞으로 수십조원 규모의 손해가 예상된다고 발표했다. 이번 구속 기소는 삼성전자 기술 유출 사건 중 역대 최고 형량을 받았던 부장 출신 김씨의 공범 관련 건으로, 김씨는 이미 징역 6년에 벌금 2억원을 선고받았다.

검찰은 CXMT에 재직 중인 기술 유출 공범들에 대해서도 수사를 확대하고 있으며, 국가와 기업 핵심기술 보호를 위해 강력한 법 집행을 예고했다. 반도체 업계 전문가는 "반도체 공정 설계와 양산기술은 독자적인 비밀기술로, 이를 경쟁사에 넘기는 행위는 중대한 범죄"라며 "이번 사건이 반도체 산업 기술 보호의 경종이 되길 바란다"고 전했다.

한편, CXMT의 글로벌 점유율 상승과 함께 SK하이닉스(38.7%)와 삼성전자(32.7%)의 D램 시장 점유율 격차는 점차 확대되고 있어, 한국 메모리 반도체 빅3 기업의 경쟁 구도가 더욱 치열해지고 있음을 시사한다.